InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) süperörgüsünün MBE ile büyütülmesi ve elektriksel-yapısal özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical and structural properties of InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) superlattice grown by MBE
- Tez No: 166075
- Danışmanlar: PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MBE, InGaAs, süperörgü, XRD, seri direnç, arayüzey durumları, sıcaklığa bağlılık, MBE, XRD, InGaAs, superlattices, series resistance, interface states, temperature dependent
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
m InxGa1-xAs / GaAs (x=0,15) SÜPERÖRGÜSUNUN MBE İLE BÜYÜTÜLMESİ VE ELEKTRİKSEL - YAPISAL ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Beyza SARIKAVAK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Yüksek kaliteli InxGaı.xAs/GaAs süperörgüsü (SL) x=0,15 için V80H-MBE sistemi ile 560 C de büyütüldü. Büyütülen numune toplam 5 periyoda (10 o tabakaya) sahiptir. GaAs tabaka kalınlığı 250 A ve Ino,ısGao,8sAs tabakaları 50 o A ' dur. GaAs büyüme oranı 1 um/saat olarak RHEED kullanılarak ayarlandı. Tabaka kalınlığı ve yapısal analizi X-ışınları difraksiyonu yolu ile belirlendi. Evaporasyon sistemde numunenin alt kısmına bütünüyle, üst tarafına ise noktasal olarak 400°C de Au kontak yapıldı. Diyot yapıları I-V ölçüm metoduyla karakterize edildi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (tj>B) ve arayüzey durumları belirlendi. C-V, (G/W) -V ölçümlerinden katkı atomlarının yoğunluğu, difüzyon potansiyeli, potansiyel engel yüksekliği (0B), seri direnç (Rs), Fermi enerjisi (Ep) belirlendi. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
IV DETERMINATION OF ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF InxGalxAs/GaAs (x=0,15) SUPERLATTICE GROWN BY MBE (M.Sc. Thesis) Beyza SARIKAVAK GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY July 2005 ABSTRACT High quality InxGai_xAs / GaAs superlattice x=0,15 has been grown by V80H- MBE system at 560 C. This sample has a total of 10 layers (5 periods) with GaAs layers of ~ 250 A and Ino^sGa^ssAs layers of ~ 50 A. The growth rate of GaAs is 1 fxm I hour and it is arranged by using RHEED. This structure' s layer thicknesses and structural analysis were determined by X - Ray diffraction. Bottom of the sample was wholly contacted with Au at 400 C by evaporation system and the top of the sample is spotty contacted at the same conditions. Diode structures were characterized by I-V measurements. From this measurements the ideality factor (n), barrier height (®B) and interface states (Ngs) were defined. With the help of C-V measurements barrier height (<DB), series Resistance (Rs), Fermi energy (Ep), density of doped atoms, diffusion potential were found. I-V and C-V measurements were made at different temperatures. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures
GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu
YAVUZ CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations
Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi
SELÇUK ÖZER
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ
- İndiyum galyum arsenik üçlü alaşımının yapısal ve elektronik özelliklerinin hesaplanması
Calculation of electronics and structural properties of indium gallium arsenic ternary alloys
AYDIN UZEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ