Optical properties of silicon based amorphous thin films
Silisyum tabanlı amorf ince filmlerin optik özellikleri
- Tez No: 153450
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Amorf silisyum, geçirgenlik, yansıma, elipsometri, optik sabitler, düzensizlik. vıı
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz SİLİSYUM TABANLI AMORF İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİ Akaoğlu, Banş Doktora, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlu Eylül 2004, 248 sayfo Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme düzeneğinde (PECVD) silisyum tabanlı hidrojenlenmiş amorf yan iletken (katkılanmamış ve n/p tipi katkılanmış a-Si:H ve a-Siı-xCx:H) ince filmler büyütülmüştür. Amorf filmlerin optik tepkilerini anlamak için optik soğurma mekanizmaları ele alınmış, ve soğurma katsayısında tayfsal değişimler ortaya çıkarılmıştır. Bant eteğinin altındaki enerjilerde, soğurma katsayısının üstel değişimi, yerel durumların gelişigüzel dağılmış kare çukur tipi potansiyel oynamaları çerçevesinde tartışılmıştır. Urbach sabiti ve eğim B düzensizlik parametreleri olarak belirlenmiştir. Çok katmanlı ince filmler için ışık şiddetine hassas olan geçirgenlik ve yansıma ile genlik / faz'a hassas olan ellipsometre teknikleri teorik ve pratik yönlerden ele alınmıştır. Filmlerin kalınlıklarının, kırılma indislerinin ve soğurma katsayılarının belirlenmesi için çeşitli metodlar geliştirilmiştir. Bir yansıma birimi spektrometreye adapte edilmiş, bütün ölçüm aletleri bilgisayarlaştınlmış ve ilgili yazılım paketleri geliştirilmiştir. Kızıl ötesi spektrometre esas olarak hidrojen konsantrasyonlarının ve bağlanma özelliklerinin belirlenmesi için kullanılmıştır. 'Üretim-karekterizasyon- büyüme koşullarının iyileştirilmesi' döngüsü başarı ile kurulmuş ve şu sonuçlar elde edilmiştir: (a) plazma reaktörünün çapı boyunca yanal düzensizlikler gösterdiğinin belirlenmesi, (b) taban ve dış ortam nedeniyle oluşan dikey düzensizliklerin belirlenmesi, (c) a-Siı.xCx:H filmlerinin kırılma indisi ve yasak enerji aralıkları vıfilmlerdeki karbon içeriğinin değiştirilmesi ile kusursuzca ayarlanabilmesi, (d) plazma güç yoğunluğunun filmlerdeki karbon içeriğini etkileyebilmesi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT OPTICAL PROPERTIES OF SILICON BASED AMORPHOUS THIN FILMS Akaoğlu, Barış Ph.D., Department of Physics Supervisor Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlu September 2004, 248 pages Silicon based hydrogenated amorphous semiconducting (intrinsic and n/p doped a-Si:H and a-Sii-xCx:H) thin films have been deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. In order to analyze the optical response of these amorphous films, intrinsic optical absorption mechanisms have resumed and spectral variations of absorption coefficient a(E) are derived. The exponential variation of absorption coefficient for energies below the band edge is discussed in the frame of randomly distributed square well like potential fluctuations of localized states. Urbach constant Eu and the slope B are deduced as disorder parameters. Both intensity sensitive transmittance and reflectance, and amplitude/phase sensitive ellipsometric techniques for multilayer thin films are theoretically and practically treated. Various methodologies are developed for the determination of thickness, refractive index and absorption coefficient of the films. A reflectance unit is adapted to the spectrometer and all the measuring instruments are computerized and relevant software packets have been developed. IR spectroscopy has been used for determination of mainly hydrogen concentrations and bonding properties. Establishing the
Benzer Tezler
- The effects of native and light induced defects in the optical and electronic properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-SiGe: H) alloy thin films
Doğal ve ışık altında bozunuma uğratılmış elektronik kusurların hidrojenlendirilmiş amorf silisyum germanyum alaşımlarının optik ve elektronik özelliklerine etkisi
MEDİNE ELİF DÖNERTAŞ YAVAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET GÜNEŞ
- Nadir element katkılı seramik malzemenin sol-jel daldırma yöntemiyle cam üzerine kaplanmasının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
V.HİLMİ AKINCI
- Nanokristal yapılı silisyumlarda sıcaklığa ve lazer gücüne bağlı fotoışıma
Temperature and laser power dependence of photoluminescence in nanocrystalline silicone
İBRAHİM İNANÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ALİ SERPENGÜZEL
PROF. GÜLEN AKTAŞ
- Silicon based dielectrics: Growth, characterization, and applications in integrated optics
Silisyum tabanlı dielektrikler: Tümleşik optikte kullanıma yönelik büyütme ve inceleme
FERİDUN AY
Doktora
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
