Metal-kompleks yarıiletgen schottky diyotların elektronik özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of the electronic properties of metal-complex semiconductor schottky diodes
- Tez No: 150139
- Danışmanlar: DOÇ.DR. AYŞE AYDOĞDU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Oksalat kompleksleri, Yarıiletken, Yasak enerji aralığı, Schottky diyot. VIII, Oxalate complexes, Semiconductor, Band gap, Schottky Diode. rx
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Doktora Tezi METAL-KOMPLEKS YARIİLETKEN SCHOTTKY DİYOTLARTN ELEKTRONİK ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ Fethi DAĞDELEN Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı 2004, Sayfa : 75 Bu çalışmada, Fırat Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Kimya Bölümü laboratuarında sentezlenen oksalat ligandı (Na2C204) içeren Cd ve Co komplekslerinin kristal yapı tayini, optik soğurma özellikleri, termal gravimetri (TG) analizi, iletkenliğin sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelendi. Farklı metaller (Al, Ni) kompleks malzemeler üzerine buharlaştırılarak metal- yarıiletken kontaklar hazırlanıp bu kontakların Schottky diyot karakteristikleri araştırıldı. Elde edilen Fİ, F2, F3 ve F4 numunelerinin kristal yapıya sahip oldukları X-ışınları toz difraktometresi ile belirlendi. UV-Vis spektrometresi ile optiksel özellikleri incelendi ve numunelerin yasak enerji aralıkları bulundu. Termal Gravimetri ölçümleri alınarak sıcaklığa bağlı kütle kayıpları gözlendi. Numunelerin elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak değişimi incelenerek, yarıiletken özellik sergiledikleri belirlendi ve aktivasyon enerjileri hesaplanıp akım mekanizmaları araştırıldı. Her numunenin bir yüzeyine Ag (gümüş) kaplandı. Diğer yüzeylerine ise ayrı ayrı Al ve Ni metali buharlaştırıldı. Al buharlaştırılan numunelerin omik özellik sergilediği ve Ni buharlaştırılan numunelerin doğrultucu özellik sergilediği gözlendi. Bu diyotlann I-V ölçümlerinden iki farklı metot kullanılarak diyot parametreleri hesaplandı. Bu komplekslerden hazırlanan metal-yarıiletken kontakların uygun üretim şartlan kullanılarak doğrultucu özellik sergileyen diyotlar hazırlanılacağı ve bu diyotlann elektronik devrelerde kullanılabileceği belirlendi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Ph.D. Thesis INVESTIGATION OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF METAL-COMPLEX SEMICONDUCTOR SCHOTTKY DIODES Fethi DA?DELEN Firat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2004, Page : 75 In this study, the crystal structure determination, optical absorption characteristics, thermal gravimetric analysis and the change of conductivity depending on the temperature of the Cd and Co complex containing oxalate ligand (Na2C204) that synthesed in Chemistry department laboratory of Art and Science Faculty of Firat University, are investigated. Metal- semiconductor contacts were prepared by the evaporation of different metals (Al, Ni) onto complex materials and then the Schottky diode characteristics of these diodes were examined. It was determined by XRD that, the obtained Fl, F2, F3 and F4 samples have crystal structure. The optical properties were observed by UV-Vis and the forbidden energy gaps were found. The mass losses depending on the temperature were observed by taking Thermal Gravimeter measurements. By investigating the change of the electrical characteristics of the samples, depending on temperature were determined and it was observed that they show semiconducting behavior and the activation energies were calculated, current mechanisms were observed. Then, Al, Ni vapor was evaporated on the other surface of the samples. Ag was coated on the each surface of the sample. It was observed that Al vapor was evaporated on samples shows ohmic features and evaporated Ni has Schottky diode characteristics. The I-V characteristics of these diodes were calculated by using two different methods. It was decided that, by using the appropriate production conditions of the metal-semiconductor contacts prepared from these complexes, the diodes showing rectifier characteristics can be prepared and these diodes can be used in electronic devices.
Benzer Tezler
- Pik demiri ve karbon çeliğinin sulu çözeltiler içindeki korozyon hızının tayini
Determination of the rate of corrosion of the cast iran and carbon steel in the aqueous solutions
EMİNE NAZAN ÜNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Kimya MühendisliğiGazi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAYRİ YALÇIN
- Bazı esterlerin kinetik incelenmesi ve termodinamik parametrelerin belirlenmesi
Kinetic study and detesmination of thermodnamic parameters of some esters
İBRAHİM TAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Adolesan intihar girişimlerinin psiko-sosyal nedenleriyle ilgili araştırma
Başlık çevirisi yok
NAZMİYE YÜKSEL
- Ferrokrom fabrikasında çalışan işçilerde stogenetik çalışmalar
Başlık çevirisi yok
AYNUR ACAR
Doktora
Türkçe
1985
Tıbbi BiyolojiAkdeniz ÜniversitesiTıbbi Biyoloji ve Genetik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜVEN LÜLECİ