The K.p method for electronic structure of semiconductors
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 14606
- Danışmanlar: PROF.DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: k.p metodu, bant yapısı, yarıiletkenler, sığ yabancı atomlar, K.p yöntemi, Yarı iletkenler, k.p method, band structure, semiconductors, shallow impurities. Science Code 404.05.01 -in
- Yıl: 1991
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
NASSAR, Ahmad Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Master Tezi Tez Yöneticisi: Prof.Dr. Mehmet TOMAK 68 Sayfa, Haziran 1991 ÖZET Bu çalışmada, yarı iletkenlerin bant yapılarının hesaplanmasında kullanılan k.p metodu için bir derleme yapılmıştır. Method GaAs, Si, Ge ve küçük bant aralıklı InSb, a-Sn, Hg. _ Cd Te yarıiletkenlerine uygulanmıştır. İletkenlik bandının parabolik olmayışının sığ verici yabancı atom durumlarına etkisi çalışılmıştır.
Özet (Çeviri)
THE k.p METHOD FOR ELECTRONIC STRUCTURE OF SEMICONDUCTORS NASSAR, Ahmad Faculty of Arts and Sciences Department of Physics, M.Sc. Thesis Supervisor: Prof. Dr. Mehmet TOMAK 68 Pages, June 1991 ABSTRACT The k.p method for calculating the band structure of semiconductors is reviewed in this work. The method is applied to GaAs, Si, Ge and narrow band gap semiconductors InSb a-Sn, Hg., CdxTe. The effect of conduction band nonparabolicity on shallow donor states is also studied.
Benzer Tezler
- Electronic structure of low dimensional semiconductor system
Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin elektronik yapısı
OĞUZ GÜLSEREN
Doktora
İngilizce
1992
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiPROF. DR. SALİM ÇIRACI
- Tümdevre üretiminde polisilisyumum plazma ortamında aşındırılması
Başlık çevirisi yok
SEMA İMRAHOR İLYAS
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN