Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen Zn ilaveli CuInS2 filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Some physical characteristics of Zn added CuInS2 films produced by spray pyrolysis method
- Tez No: 131220
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SABİHA AKSAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: CuInS2, Yarıiletken, Spray Pyrolysis, Temel Absorpsiyon, Chalcopyrite, Mikroskopi-elektron taramalı, Püskürtme yöntemi, Soğurma, X ışını kırınımı, Yarı iletken filmler, Yarı iletkenler, CuInS2, Semiconductor, Spray Pyrolysis, Fundamental Absorption, Chalcopyrite, Microscopy-electron scanning, Spraying method, Absorption, X ray diffraction, Semiconductor films, Semiconductors
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, CuInS2 yarıiletken bileşiği içerisine %10-50 arasında değişen oranlarda Zn ilave edilerek Cu(Zn)InS2 filmlerinin bazı fiziksel Özellikleri incelenmiştir. Filmler spray pyrolysis yöntemiyle 225-275 °C taban sıcaklıklarında elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin p-tipi oldukları ve yasak enerji aralığı değerlerinin 1,51-2,70 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Temel absorpsiyon spektrumlarından geçirgenlik, yansıma, kırılma indisi, sönüm katsayısı ve dielektrik sabitleri grafikleri çizilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin chalcopyrite ve hegzagonal yapıda oldukları saptanmıştır. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) fotoğraflarından yüzey morfolojileri incelenmiştir ve filmlerin hemen hemen homojen yapıda oldukları görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this thesis, some physical characteristics of Cu(Zn)InS2 films were studied 10-50% of Zn was added into the semiconductor CuInS2. The films were grown by the spray pyrolysis method at 225-275 °C substrate temperatures. It was determined that the films were p-type and band gap energy values were ranged between 1,51-2,70 eV. The transmission, reflectivity, refractive index, extincition coefficient and dielectric coefficient graphics were obtained from the fundamental absorption spectra. By means of X-ray difractions, the films were determined to exhibit chalcopyrite and hegzagonal structures. The surface morphologies were studied via scanning electron microscopy (SEM) and shown that films have almost been homogenous structure.
Benzer Tezler
- Spray pyrolysis metodu ile elde edilen Cd1-xZnxS filimlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
SALİH KÖSE
Doktora
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Cu(Zn,Cd) in (Sı-xSEx)2 yarıiletken filmlerinin bazı fiziksel özellikleri
Properties physics semiconductor films of Cu (Zn,Cd) in (Sı-xSex)2
SABİHA AKSAY
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Effect of Zn:Se ratio on optical and electrical characteristics of sprayed znse thin films
Püskürtme yöntemiyle elde edilen ZnSe ince filmlerinin optiksel ve elektriksel karakteristikleri üzerine Zn:Se oranlarının etkisi
RIDVAN ORMANCI
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiGenel Fizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. METİN BEDİR
- Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen In katkılı CdZnS filmlerinin özellikleri
The Proporties of In doped CdZnS films produced by the spray pyrolysis method
SALİHA ILICAN
Doktora
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MUHSİN ZOR
- Spray pyrolysis yöntemi ile elde edilen CdZnS yarı iletken bileşiğinin bazı fiziksel özellikleri
Some of the physical properties of CdZnS semiconductor compounds produced by the spray pyrolysis method
YASEMİN SEZGİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. A. ŞENOL AYBEK