Analysis and modeling of multi-gate mosfet structures
Çok kapılı mosfet yapılarının analizi ve modellenmesi
- Tez No: 129439
- Danışmanlar: DOÇ. DR. GÜNHAN DÜNDAR, PROF. DR. ÖMER CERİD
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Analitik model, Mosfet, Transistör, Analytical model, Mosfet, Transistor
- Yıl: 2002
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET ÇOK KAPILI MOSFET YAPILARININ ANALİZİ VE MODELLENMESİ Çok kapılı MOSFET yapıları için analitik modeller sunulmaktadır. Analitik yaklaşımlarda ortaya çıkan transistor yapısıyla ilgili matematiksel problemler, yaklaşık çözümleriyle birlikte ve ortaya konan analitik modellerle tartışılmaktadır. Her model sonucu farklı kombinasyonlarla, simülasyon sonuçları ile kıyaslanmıştır. Değişik yaklaşımlar arasında en uygun olanı, basitlik ve uyumluluk unsurları göz önüne alınarak seçilmiştir. Seçilen model yanal alan mobilite etkisini de analitik formunda barındırmaktadır, bu etki özellikle söz konusu transistor yapısı için önem kazanmaktadır. İleri sürülen model, transistorun karakteristiğini belirlemek için gereken parametrelerin çıkarılmasına el verecek ölçüde basittir. Bunun yanısıra modelden elde edilen sonuçlar simülasyon sonuçları ile iyi bir uyum göstermiştir.
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT ANALYSIS AND MODELING OF MULTI-GATE MOSFET STRUCTURES Several analytical models are presented for dual-gate MOSFET structures. The mathematical difficulties of the analytical approaches related to device structure are discussed with approximate solutions to the problem, and with the analytical models proposed. Each of the results obtained from these models is compared with the extensive simulations. Among the different approaches, the most appropriate one is chosen ac cording to the criteria of simplicity and the degree of matching. The model chosen includes lateral field dependent mobility effect in its analytical form, which is especially important for this device. It is simple enough to allow fur ther derivations of the device parameters that are required for characterization of the device. Furthermore, results obtained from the model are in good agreement with the simulation results.
Benzer Tezler
- Large vocabulary speech recognition in noisy environments
Gürültülü ortamlarda geniş kelime hazneli konuşma tanıma
FİRAS JABLOUN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. A. ENİS ÇETİN
- Doğal çatklaklı rezervarlara ait kuyu testi verilerinin doğrusal olmayan regrasyon yöntemleri ile analizi
Başlık çevirisi yok
KUBİLAY MENEKŞE
- Zaman-frekans analizinde yeni dönüşümler ve uygulama alanları
New transforms in time-frequency analysis and their applications
YAZGAN ERER
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. AHMET H. KAYRAN
- Performance analysis and modeling of two-tier cellular networks with queuing handoff calls
İki katmanlı şebekelerin handoff aramalarında kuyruk kullanarak performans analizi ve modellenmesi
TARA SALİH
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolFatih ÜniversitesiBilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. KEMAL FİDANBOYLU
- Düşey girişimli basınç testlerinin modellenmesi ve parametre tahmini
The modeling of the vertical interference tests and parameter estimation
İHSAN MURAT GÖK
Doktora
Türkçe
2004
Petrol ve Doğal Gaz Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPetrol ve Doğal Gaz Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ONUR