CMOS RF passive components modelling and low noise amplifier design
CMOS RF pasif eleman modelleme ve düşük gürültülü yükselteç tasarımı
- Tez No: 116446
- Danışmanlar: PROF. DR. MURAT AŞKAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: RF ASIC, RF CMOS, RF Pasif Eleman, Bobin, Direnç, Kapasitör, RF MOS, Düşük Gürültülü Yükselteç, Empedans Uyumlama. vı, CMOS, Gürültü, Pasif eleman modelleri, Yükselticiler, RF ASIC, RF CMOS, RF Passive Element, Inductor, Resistor, Capacitor, RF MOS, Low Noise Amplifier, Impedance Matching. IV, CMOS, Noise, Passive component models, Amplifiers
- Yıl: 2001
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz CMOS RF PASİF ELEMAN MODELLEME VE DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTEÇ TASARIMI Telli, Ali Yüksek Lisans, Elektrik - Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Murat AŞKAR Aralık 2001, 167 sayfa Bu tezde, RF CMOS pasif, aktif eleman modelleri ve farklı LNA topolojileri araştırılmış, simüle edilmiş ve karşılaştırılmışlardır. Sonuçta, Mietec CMOS 0.7um prosesi kullanılarak ve parazitik etkiler düşünülerek 2210 MHz'de çalışan bir LNA dizayn edilmiştir. Tezde, ilk olarak literatürdeki pasif eleman modelleri araştırılmış yeni olanlar toplanmıştır. Sonra, pasif eleman modelleri, başlıca kapasitörler ve bobinler, simüle edilmiş ve karşılaştırılmışlardır. Bundan başka, bobinler için, simülasyon sonuçları çip bobin ölçüm sonuçlarıyla da karşılaştırılmışlardır. Daha sonra MOSFET için gürültü modelleri incelenmiştir. Sonuçta, literatürdeki LNA topolojileri araştırılmış Cadence/BSIM3v3 kullanılarak farklı LNATer 900 MHz, 2025 MHz ve 2210 MHz de dizayn edilip simüle edilmişlerdir.2210 MHz'de çalışan bir tasarım için, pasif ve aktif elemanlara bağlı parazitik etkiler de göz önüne alınarak, layout çizilmiştir. Tasarlanan yükselteç parasitik etkilerin eklenmediği durumda 3V'luk kaynaktan 18mW güç tüketirken 2dB NF ile 18 dB kazanç sağlamaktadır. Parasitik etkiler eklendiğinde kazanç 9 dB'ye düşerken NF 4.5 dB'ye çıkmaktadır. Bu çalışmanın sonuçları gösteriyor ki teknoloji küçüldükçe ve doğru eleman modelleri kullanıldıkça CMOS prosesiyle RF devreler dizayn etmek olasıdır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT CMOS RF PASSIVE COMPONENTS MODELLING AND LOW NOISE AMPLIFIER DESIGN Telli, Ali M.S. in Electrical - Electronics Engineering Supervisor : Prof. Dr. Murat AŞKAR December 2001, 167 pages In this thesis, RF CMOS passive, active element models and different LNA topologies are investigated, simulated and compared. At the end, LNA that works at 2210 MHz is designed by using Mietec CMOS 0.7um process considering the parasitic effects. In the thesis, passive element models are searched throughout the literature and new models are collected firstly. Next, passive element models, mainly capacitors and inductors, are simulated and compared. Moreover, for inductors, simulation results are compared with on-chip inductor measurement results. Afterwards, noise models for MOSFET are investigated. Finally, LNA topologies are searched throughout the literature and different LNAs at 900 MHz, 2025 MHz, and 2210 MHz are designed and simulated using Cadence/BSIM3v3. inFor one of the design that works at 2210 MHz, the layout was drawn by considering parasitic effects due to passive and active elements. The designed amplifier, with no parasitic effects, provides a forward gain of 18.5 dB with a noise figure of 2 dB while drawing 18mW from 3V supply at 2210 MHz. When the parasitic effects are included, a forward gain decreases to 9 dB while NF increases to 4.5 dB. The results of this study show that it is possible to design RF circuits using CMOS process with technology scaling and correct element modelling.
Benzer Tezler
- CMOS class-e power amplifier modelling and design including channel resistance effects
CMOS e-sınıfı güç yükselticinin kanal direnç etkilerini içeren modellemesi ve tasarımı
İBRAHİM DEMİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞİMŞEK DEMİR
PROF. DR. CANAN TOKER
- Design of 1.575 GHz single ended CMOS LNA for GPS applications
GPS uygulamaları için 1.575 GHz CMOS LNA tasarımı
İBRAHİM ONUR USLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞLU
- CMOS class E pover amplifiers for wireless communications
Kablosuz iletişim için CMOS E sınıfı güç kuvvetlendiricileri
KATİBE İLHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2003
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- Realization of a voltage controlled oscillator using 0.35 ?m SiGe-BiCMOS technology for multi-band applications
0.35 ?m SiGe-BiCMOS teknolojisi kullanılarak çoklu band uygulamaları için gerilim kontrollü osilatör devresinin gerçeklenmesi
AHMET KEMAL BAKKALOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Bölümü
DOÇ. DR. YAŞAR GÜRBÜZ
- Minimum-noise-figure LNA design procedure for IEEE 802.11a WLAN applications
IEEE 802.11a WLAN uygulamaları için minimum gürültülü LNA tasarım akışı
PINAR BAŞAK BAŞYURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2007
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NİL TARIM