Yarıiletkenlerde fotoiletkenlik ölçümleri ve modellemesi
Measurements and modelling of photoconductivity in semiconductors
- Tez No: 112477
- Danışmanlar: PROF. DR. RAMAZAN ESEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kimyasal Depolama Metodu, CdS, Aktivasyon enerjisi, Fotoiletkenlik, Modelleme, Yarı iletkenler, Chemical Bath Deposition, CdS, Activation Energy IV, Activation energy, Photoconductivity, Modelling, Semiconductors
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, kimyasal depolama metodu ile yapılan CdS ince film örneğinin fotoiletkenliğine, sıcaklığa bağlı olarak iletkenliğinin değişimine bakılmıştır. Ayrıca, CdS ince filminin aktivasyon enerjisi hesaplanmış,filmin elektriksel (Ea, p) ve optik özellikleri (%T, a, Eg) incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this work, the photoconductivity and the change of conductivity due to temparatüre of CdS thin film prepared by chemical deposition have been examined. In addition, the Activation Energy of CdS thin film was estimated, and, electricaly and (Ea, p), optical properties (i.e. %T, a, Eg) of thin film have also been examined.
Benzer Tezler
- A-Si1-xCx: H filmlerin TSC (thermally stimulated conductivity) ve fotoiletkenlik ölçümleri ile incelenmesi
Thermally stimulated conductivity (TSC) and photoconductivity measurements in a-Si1-xCx:H
ALİ OSMAN KOPOLBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) çoklu kuantum kuyuların elektronik özellikleri ve sıcak elektron güç kaybı mekanizmalarının magnetotransport ölçümlerle incelenmesi
Investigation of electronic properties and hot electron power loss mechanisms in GaAs/Ga1-xAlxAs(x=0,3) multiple quantum wells by magnetotransport measurements
ENGİN ARSLAN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. MEHMET CANKURTARAN
- Structural, electrical and optical characterization of N-and Si-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method
Bridgman yöntemi ile büyütülen N-ve Si-ekilmiş GaSe tek kristallerinin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu
ORHAN KARABULUT
Doktora
İngilizce
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU
DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
- AIIIBVI kristallerinde fotoiletkenlik ve GaS, GaSe, GaTe ve GaSe1-xTex kristallerle metal-yarıiletken-metal eklemler
Photoconductivity of AIIIBVI crystals and metal-semiconductor-metal junctions withGaS, GaSe, GaTe and GaSe1-xTex crystals
CEMALETTİN TÜRKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MEMMEDOV
- TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BAHATTİN ABAY
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Y. KEMAL YOĞURTÇU