Transport properties in amorphous chalcogenide glasses
Amorf halkojenür camlarda iletim özellikleri
- Tez No: 112185
- Danışmanlar: PROF. DR. YANİ SKARLATOS
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Amorf, CAM, Fotoiletkenlik, İnce filmler, Amorphous, Glass, Photoconductivity, Thin films
- Yıl: 2001
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET AMORF HALKOJENUR CAMLARDA İLETİM ÖZELLİKLERİ As2Se3 ince filmlerinin mobilite aralığındaki yerleşik durum yoğunluğu, iletken lik bandı ve Fermi seviyesi arasındaki 0.3eV'luk bir bölgede modüle edilmiş fotoakım faz analizi metoduyla belirlenmiştir. Durum yoğunluğu dağılımı enerjinin iletkenlik bandından uzaklaşmasıyla eksponansiyele yakın bir düşüş gösterir. Bu, iletkenlik ve valans band uzantılarının çakıştığına işaret eder. Ardından amorf As2Se3 ince film lerinde 298K ve 353K arasında frekans tepkili fotoakım ölçümleri yapılmıştır. Bu ölçümler yaşam süresi dağılımını doğrudan verir. Yaşam süresinin sıcaklığa ve uyarma ışık şiddetine bağlı olduğu anlaşılmıştır, dolayısıyla birleşmenin uzak çiftler yoluyla olduğu ve mobilite aralığında eksponansiyel bir tuzak dağılımı bulunduğu sonucuna varılabilir.
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT TRANSPORT PROPERTIES IN AMORPHOUS CHALCOGENIDE GLASSES The density of localized states in the mobility gap of As2Se3 thin films has been determined over a range of 0.3eV from the Fermi level to the conduction band by the phase shift analysis of the modulated photocurrent (PSAMP) method. The dis tribution of density of states shows almost an exponential decay as the energy gets away from the conduction band. This indicates an overlap of conduction and valence band tails. Frequency-resolved photocurrent (FRPC) measurements were carried out on amorphous As2Se3 thin films between 298K and 353K. These measurements give lifetime distributions directly. It is found out that carrier lifetime depends on temper ature and excitation light intensity, thus it can be concluded that the recombination is through distant pairs and that there is an exponential distribution of traps within the mobility gap.
Benzer Tezler
- Düzensiz yapılarda elektron taşınım (transport) özellikleri
Electron transport properties in non crystalline semiconducting solids
ŞADİ YILMAZ
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RAMAZAN ESEN
- Comparative analyses of artificial kidney membranes and influences of in vivo utilization on their properties of the materials and hemodialysis treatment
Yapay böbrek membranlarının ve in vivo kullanımlarının hemodiyaliz tedavisi ve performansları üzerindeki tesirlerinin mukayeseli analizleri
BURUK ARMAĞAN KONDUK
Doktora
İngilizce
2002
Tıbbi BiyolojiBoğaziçi ÜniversitesiTıbbi Biyoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde konuma bağımlı fotogerilim ölçümleri
Lateral photovoltage measurements in hydrogenated amorphous silicon
BANU ÇOMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Pervaporasyon ile ipa/su ve MTBE/metil alkol azeotropik karışımlarının ayrılması
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER DURMAZ (HİLMİOĞLU)
Doktora
Türkçe
1998
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiTemel İşlemler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA TÜLBENTÇİ
- Molecular simulations of gas transport in copolymers
Kopolimerlerde gaz taşınımının moleküler simülasyonları
ESRA KÜÇÜKPINAR
Doktora
İngilizce
2003
Kimya MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. PEMRA DORUKER TURGUT